Исследование влияния термического и лазерного отжига на профили распределения атомов в si (111), имплантированном ионами p+ и b+
Ushbu maqola GaAs materialining qalinligi 10-12 nm bo'lgan va markazida Ga0.5Na0.5As bo'lgan uch qavatli nanosistemaning (GaAs-Ga0.5Na0.5As-GaAs) tuzilishi va kimyoviy tarkibini o'rganadi. Na ionlarining implantatsiyasi va keyingi termik ishlov berish natijasida yuzaga kelgan bu o'zgarishlar oje-elektron spektroskopiyasi va tez elektron diffraktsiyasi usullari yordamida tadqiq etilgan. Maqolada Na ionlarining implantatsiya energiyasi va dozasi qanchalik muhimligi, ular qanday qilib materialning tuzilishi va atom konsentratsiyasiga ta'sir qilishi batafsil ko'rsatilgan.
Asosiy mavzular
- Na ionlarini implantatsiya qilish: Maqolada Na ionlarining GaAs materialiga 10-20 keV energiya bilan implantatsiya qilinishi va bu jarayonning materialning tuzilishi va tarkibiga ta'siri o'rganilgan. Turli dozalarda implantatsiya qilish natijasida Na atomlarining konsentratsiyasi va ularning GaAs matritsasidagi joylashuvi o'zgargani aniqlangan.
- Nanosistemalar tuzilishi: Tadqiqot natijasida GaAs materialining yuza qismida GaAs-Ga0.5Na0.5As-GaAs kabi uch qavatli nanosistemalar hosil bo'lishi aniqlangan. Bu qatlamlarning qalinligi va har birining tarkibi ham batafsil ko'rsatib o'tilgan.
- Oje-elektron spektroskopiyasi va tez elektron diffraktsiyasi: Maqolada nanosistemalarning kimyoviy tarkibi va tuzilishini aniqlash uchun oje-elektron spektroskopiyasi va tez elektron diffraktsiyasi kabi zamonaviy usullardan foydalanilgan. Bu usullar orqali materialning yuza qismidagi atomlarning konsentratsiyasi va ularning fazoviy joylashuvi haqida ma'lumot olingan.
- Termik ishlov berishning ta'siri: Na ionlari bilan implantatsiya qilingan materialga termik ishlov berish (qizdirish) ta'sirida Na atomlarining taqsimlanish profili o'zgarishi, ya'ni ular GaAs matritsasida ko'proq tarqalishi kuzatilgan. Bu jarayon nano-strukturani yanada barqarorlashtirishga yordam beradi.