Диэлектрик-яримўтказгич чегараси хоссаларига ташқи омиллар таъсири ва микрометрли ва нанометрли мдя транзисторлар характеристикаларини моделлаштириш

Ushbu avtoreferat Oʻzbekiston Respublikasi Fanlar akademiyasi Fizika-texnika instituti huzuridagi ilmiy darajalar beruvchi DSc.30.05.2018.FM./T.34.01 raqamli ilmiy kengashda tayyorlangan va Urganch davlat universiteti tomonidan bajarilgan dissertatsiya haqida. Dissertatsiya "Dielektrik-yarimõtkazgich chegarasi xossalariga tashqi omillarning ta'siri va mikrometrli va nanometrli MDH transistorlar xarakteristikalarini modellashtirish" mavzusiga bagʻishlangan. Unda tashqi omillarning (ionlashtiruvchi nurlanish, elektr maydoni, zaryad in'eksiyasi va termik ishlov berish) dielektrik-yarimõtkazgich chegarasi va MDH tuzilmalarining xossalariga va parametrik tavsiflariga ta'siri o'rganilgan. Xususan, Co-60 gamma-kvantlari, yuqori energiyali tormozlanish nurlanishi, elektr maydon va harorat ta'sirida MDH transistorlaridagi zaryadlarning yig'ilishi va ularning tavsiflariga ta'siri tadqiq etilgan. Tadqiqotda zaryadlarning yig'ilish mexanizmlarini tavsiflovchi modellarni yaratish va ularning MDH tuzilmalariga ta'sirini o'rganishga qaratilgan. Tadqiqot natijalari yangi ilmiy natijalarni berib, yarimõtkazgichlar fizikasi va elektronikasi sohasida amaliy ahamiyatga ega.

Asosiy mavzular

  • MDH strukturalarida zaryadning yig'ilishi mexanizmlari: Yuqori energiyali tormozlanish nurlanishi va Co-60 gamma-kvantlari, elektr maydoni va harorat ta'sirida dielektrik-yarimõtkazgich chegarasi va MDH tuzilmalaridagi zaryadlarning yig'ilishi va ularning tavsiflariga ta'siri tadqiq etilgan. Zaryadlarning yig'ilishi mexanizmlarini tavsiflovchi modellarni yaratish va ularning MDH tuzilmalariga ta'sirini o'rganishga qaratilgan.
  • MDH transistorlarining tavsiflari va ularga tashqi omillarning ta'siri: MDH transistorlarining mikrometrli va nanometrli o'lchamlarda bo'lgan tavsiflariga tashqi omillarning, jumladan, ionlashtiruvchi nurlanish, elektr maydoni, zaryad in'eksiyasi va termik ishlov berishning ta'siri o'rganilgan. Xususan, Co-60 gamma-kvantlari va yuqori energiyali tormozlanish nurlanishi ta'sirida zaryadlarning yig'ilishi va uning transistor tavsiflariga ta'siri tadqiq etilgan.
  • Yarimõtkazgich texnologiyalarida yangi modellarni ishlab chiqish: Tadqiqot natijalaridan yarimõtkazgich nanostrukturalarini shakllantirish uchun yangi usullar va modellarni ishlab chiqishda foydalanish mumkinligi ko'rsatilgan.