Электронная структура поверхности полупроводников модифицированных ионной бомбардировкой

Ushbu maqola ion-implantatsiya qilingan yarimo'tkazgichlar va ularning elektron tuzilishi haqida ma'lumot beradi. Tadqiqotda Si, GaAs va CdTe kabi yarimo'tkazgichlarga ion implantatsiyasi qo'llanilgan. Maqolada ion implantatsiyasining yarimo'tkazgichlarning optik va tuzilishi xususiyatlariga ta'siri o'rganilgan. Xususan, Si ning yuzasi NaNiSi2 bilan qoplangan namunalarning tuzilishi va elektron xususiyatlari tadqiq qilingan. Shuningdek, GaAs va CdTe yarimo'tkazgichlariga Ba+ ionlari implantatsiyasi natijasida hosil bo'lgan CdMeTe/CdTe tuzilmalari o'rganilgan.

Asosiy mavzular

• Si yarimo'tkazgichlarining ion implantatsiyasi: Maqolada Si yarimo'tkazgichlariga ion implantatsiyasi qo'llanilgan. Xususan, Si (111) yuzasi NiSi2 bilan qoplangan namunalarning tuzilishi va elektron xususiyatlari o'rganilgan. Ion implantatsiyasi natijasida Si yuzasida NaNiSi2 qatlami hosil bo'lib, uning qalinligi 40-50 A ni tashkil etadi. Tadqiqotda shuningdek, ion implantatsiyasi bilan bog'liq yuzaga kelgan nurlanish energiyasi va boshqa xususiyatlar o'rganilgan.
• GaAs va CdTe yarimo'tkazgichlarining ion implantatsiyasi: Maqolada GaAs va CdTe yarimo'tkazgichlariga Ba+ ionlari implantatsiyasi natijasida hosil bo'lgan CdMeTe/CdTe tuzilmalari o'rganilgan. Tadqiqotda implantatsiya sharoitlari, jumladan energiya, ionlar konsentratsiyasi va haroratning tuzilmalarning optik va elektron xususiyatlariga ta'siri o'rganilgan. Xususan, Ba+ ionlari implantatsiyasi bilan yarimo'tkazgichlarning optik singish xususiyatlari o'zgarishi va CdMeTe/CdTe tuzilmalarining optimal rejimlarida ishlatilishi ko'rsatilgan.