GaP ва GaAs асосидаги таркибида висмут атомлари бўлган кўп таркибли гетеротузилмаларнинг физик хоссалари

Ushbu dissertatsiya X.U. Usmonovning

Asosiy mavzular

I. Kirish: Dissertatsiya mavzusi va uning dolzarbligi, maqsad va vazifalari, ilmiy yangiligi va amaliy ahamiyati hamda asosiy natijalari bayon etilgan.
II. Tadqiqot usullari va texnologiyasi: Namunalarni tayyorlash uchun foydalanilgan usullar, rentgenostruktura va elektron-mikroskopik tekshirish usullari hamda optik va fotoelektr xossalarni o'rganish usullari batafsil bayon etilgan.
III. Strukturaviy va morfologik tadqiqotlar: GaAs va GaP asosidagi ko'pkomponentli eritmalar va ularning geterostrukturalarining kristall panjaralari va morfologiyasi bo'yicha olingan tadqiqot natijalari keltirilgan.
IV. Elektrofizik va fotoelektrik xossalari: Getetostrukturalarning qorong'ulikdagi U/A xarakteristikasi, fotoelektr sezgirligi va ularning ish jarayonlari haqida ma'lumot berilgan.
Xulosa: Olingan natijalar va ularning ilmiy-amaliy ahamiyati hamda kelgusida foydalanish istiqbollari bayon etilgan.