Kirishma nanobirikmalari bo‘lgan yarimo‘tkazgichli GaAs-Ge qattiq qorishmalarining olinishi, tuzilishi va fizik xossalari

Ushbu dissertatsiya avtoreferati yarimoʻtkazgichli materialshunoslik va mikroelektronika sohasidagi tadqiqotlarni oʻz ichiga oladi. Asosiy e'tibor GaAs-Ge qattiq qorishmalarining tuzilishi, olinish texnologiyalari va ularning fizik xossalarini oʻrganishga qaratilgan. Tadqiqotda yarimoʻtkazgichli nanoobʼyektlar, xususan, kvant nuqtalari va kvant oʻralari hosil qilish usullari, ularning rentgenografik, elektron mikroskopik va fotoelektrik xususiyatlari oʻrganilgan. Xususan, n-GaAs-p-(GaAs)1-x(Ge2)x geterotuzilmalarining voltamper va volt-emkost xarakteristikalari hamda fotovoltaik xossalari tadqiq qilingan. Tadqiqot natijalari zamonaviy yarimoʻtkazgichli qurilmalar va optoelektronika sohasida qoʻllanmalarga ega.

Asosiy mavzular

• Kirishma nanobirikmalari boʻlgan yarimoʻtkazgichli GaAs-Ge qattiq qorishmalarining olinishi, tuzilishi va fizik xossalari: Bu mavzu dissertatsiyaning asosiy qismini tashkil etadi. Unda GaAs-Ge qattiq qorishmalarini suyuq fazali epitaksiya usuli bilan olish texnologiyalari, ularning rentgenografik va elektron mikroskopik tahlillari, shuningdek, ularning elektr va fotoelektrik xossalari oʻrganilgan. Xususan, kvant nuqtalari va kvant oʻralarining shakllanishi va ularning xossalari tahlil qilingan.
• n-GaAs-p-(GaAs)1-x(Ge2)x geterotuzilmalarining xarakteristikalari: Ushbu mavzuda n-GaAs-p-(GaAs)1-x(Ge2)x tuzilmalarining voltamper va volt-emkost xarakteristikalari, shuningdek, fotovoltaik xossalari tadqiq qilingan. Turli texnologik sharoitlarda olingan tuzilmalarning xususiyatlari taqqoslangan va ularning fizik mexanizmlari tahlil qilingan.
• Tadqiqotning ilmiy yangiligi va amaliy ahamiyati: Bu qismda tadqiqotning ilmiy yangiligi, ya'ni ushbu sohada olingan yangi natijalar va ularning amaliy ahamiyati, jumladan, yarimoʻtkazgichli qurilmalar ishlab chiqarishdagi qoʻllanilishi haqida ma'lumot berilgan.