Кремний юзасида ҳосил қилинган Cu, CdSe ва TiО2 юпқа плёнкаларининг электрон спектроскопияси
Ushbu doktorlik dissertatsiyasi kremniy (Si) yuzasida olingan Cu, CdSe va TiO2 kabi nozik plyonkalarining hosil bo'lishi, ularning elektron, tuzilish va xossalari, shuningdek, ion bombardimonlash va termal ishlov berishning ularga ta'siri bo'yicha tadqiqotlarni o'z ichiga oladi. Tadqiqotlar natijasida Si/Cu tizimida past qarshilikli kontaktlar yaratish, Cu va Si yuzalarining morfologiyasini o'zgartirish va bu materiallar asosida yangi nanoelektron qurilmalar yaratish imkoniyatlari ko'rsatib berilgan.
Asosiy mavzular
- TiO2 nozik plyonkalarini olish va ularning tuzilishini o'rganish: Magnetron purkash usuli yordamida Si (111) yuzasida turli qalinlikdagi TiO2 plyonkalari olindi va ular uchun Miller indekslari hamda panjaraviy parametrlar aniqlandi. Isitish jarayonida TiO2 ning anataza fazasidan rutil fazaga o'tishi o'rganildi. Plyonkalarda mikro va nano zarralar mavjudligi aniqlandi.
- CdSe plyonkalarining kristallligini o'rganish: Raman sochilish usuli yordamida CdSe plyonkalarining qizdirilgandan keyingi kristalllik darajasi va amorf fazasining o'zgarishi o'rganildi. Natijalar mikroelektronika va nanoelektronika uchun materiallar yaratishda muhim ahamiyatga ega.
- Si yuzasida Cu-Si kontaktini yaratish: Magnetron purkash usuli yordamida Si yuzasida past qarshilikka ega bo'lgan Cu qatlami hosil qilindi. Bu esa Si quyosh elementlarida tok yo'qotilishini kamaytirib, samaradorlikni oshirishga imkon beradi.
- Ba+ va Cs+ ionlarining Si/Cu tizimidagi ta'sirini o'rganish: Ba+ va Cs+ ionlarini implantatsiya qilish va keyinchalik qizdirish natijasida BaSi tipidagi nanopluyonkalar hosil bo'lishi o'rganildi. Bu jarayonda Si atomlarining konsentratsiyasining ta'siri ham hisobga olindi.