psi-n(znse)1-x-(Si2)x(gap)y гетероструктурасининг вольт-ампер характеристикаси

Ushbu kitob yarimo'tkazgichlar fizikasi, texnologiyasi va ularning xossalarini o'rganishga bag'ishlangan. Unda, xususan, pSi-n(ZnSe)1-x-y(Si2)x(GaP)y geterostrukturalarining olinishi, ularning elektr va optik xarakteristikalari batafsil ko'rib chiqilgan. Materialshunoslik va optoelektronika sohasidagi tadqiqotchilar uchun foydali qo'llanma.

Asosiy mavzular

• Yarimo'tkazgichlar: Yarimo'tkazgichlarning tuzilishi, xossalari, elektr o'tkazuvchanligi va ularda aralashmali o'tkazuvchanlik mexanizmlari ko'rib chiqiladi.
• pSi-n(ZnSe)1-x-y(Si2)x(GaP)y geterostrukturasining olinishi: Ushbu geterostrukturani olish usullari, jumladan, epitaksial o'stirishning asosiy usullari, murakkab tizimli yarimo'tkazgichli qatlamlarni o'stirish texnologiyasi va (ZnSe)1-x-y(Si2)x(GaP)y qattiq qorishmasini suyuq fazali epitaksiya usulida o'stirish texnologik qurilmasi batafsil tavsiflangan.
• (ZnSe)1-x-y(Si2)x(GaP)y qatlamlarining elektro fizikaviy tabiyati: Suyuq fazadan o'stirilgan (ZnSe)1-x-y(Si2)x(GaP)y qatlamlarning elektro fizikaviy xossalari, xususan, pSi-n(ZnSe)1-x-y(Si2)x(GaP)y strukturasining xona haroratidagi volt-amper xarakteristikasi va turli temperaturalardagi xarakteristikalari o'rganiladi.