Эффекты аномалыно-болшых фотоцацряжений и фотоэлектренх состояний без внешнего поляризующего поля в пленках Si
Ushbu dissertatsiya ishi yarimo'tkazgichli materiallar va qurilmalarning fizik xususiyatlarini o'rganishga bag'ishlangan. Dissertatsiyada yupqa qatlamlardagi anomaliya katta fotovoltaik effektlar va fotoelektret holatlarining nazariy va eksperimental jihatlari ko'rib chiqilgan, shuningdek, ularni amaliyotda qo'llash imkoniyatlari o'rganilgan.
Asosiy mavzular
- Anomal katta fotovoltaik effekt (AFK): Dissertatsiyada AFKning kelib chiqish mexanizmlari, xususan, dember effekti va p-n o'tishlari bilan bog'liq bo'lgan hodisalar batafsil tahlil qilingan. AFKning turli yarimo'tkazgichli materiallardagi namoyon bo'lish xususiyatlari, ularning spektral bog'liqliklari va tashqi ta'sirlarga sezgirligi o'rganilgan.
- Fotoelektret holati: Dissertatsiyada tashqi polarizatsiya maydonisiz fotoelektret holatining paydo bo'lishi va uning yarimo'tkazgichli materiallardagi namoyon bo'lishi ko'rib chiqilgan. Fotoelektret holatining rekombinatsiya jarayonlari va chuqur sathlar bilan bog'liqligi, shuningdek, turli materiallardagi fotoelektret xususiyatlarini optimallashtirish yo'llari o'rganilgan.
- Yarimo'tkazgichli qatlamlar texnologiyasi: Dissertatsiyada Si va CdTe asosidagi yupqa qatlamlarni olish, ularni legirlash va faollashtirish texnologiyalari ishlab chiqilgan. Qatlamlarning qalinligi bo'yicha taqsimoti, kristall tuzilishi va elektr xususiyatlariga ta'sir etuvchi omillar o'rganilgan.
- Amaliy qo'llanilishi: AFK va fotoelektret effektlariga asoslangan yangi optoelektron qurilmalarni, jumladan, magnit maydon datchiklari, yorug'lik qabul qilgichlar va xotira elementlarini yaratish imkoniyatlari ko'rib chiqilgan. Olingan natijalar asosida yangi qurilmalarning prototiplari ishlab chiqilgan va ularning ishlash xususiyatlari baholangan.