Вольтамперные и люкс-амперные характеристики ионно-легированного GaAs
Ushbu kitob O'zbekiston Respublikasi Oliy va O'rta Maxsus Ta'lim Vazirligi tomonidan tasdiqlangan Toshkent Davlat Texnika Universitetining "Elektronika va avtomatika" fakulteti, "Nazariy elektrotexnika va elektron texnologiyalari" kafedrasida yozilgan "Voltamper va lyuks-amper xarakteristikalari ion bilan legirlangan GaAs" mavzusidagi bitiruv malakaviy ishidir. Unda yarimo'tkazgichli elektronika, xususan, GaAs materialining xususiyatlari, texnologiyalari va ularning amaliyotdagi qo'llanilishi haqida ma'lumot berilgan. Ishda, shuningdek, GaAs asosidagi asbob-uskunalarning voltamper va lyuks-amper xarakteristikalariga ion implantatsiyasining ta'siri o'rganilgan.
Asosiy mavzular
- GaAs olish texnologiyasi: GaAs yarimo'tkazgich materialini olish usullari, jumladan, hajmli monokristallarni o'stirish va suyuq epitaksiya usullari batafsil yoritilgan.
- GaAs kristall tuzilishi va zonal diagrammasi: GaAs ning kristall tuzilishi, zonal diagrammasi, shuningdek, uning elektrofizik xususiyatlari, xususan, energetik zonalar strukturasi va elektron o'tishlari tahlil qilingan.
- Metall-yarimo'tkazgich kontaktlari: Metall va yarimo'tkazgich o'rtasidagi kontaktlar, Schottky to'siqlari, omik kontaktlar, ularning minimal qarshiliklari, shuningdek, eritilgan, implantatsiya qilingan va geterokompozitsion omik kontaktlar haqida ma'lumotlar keltirilgan.
- Ion implantatsiyasi: Ion implantatsiyasi usuli, uning afzalliklari, kamchiliklari, GaAs materialiga qo'llanilishi, shuningdek, ion implantatsiyasi jarayonida yuzaga keladigan nuqsonlar va ularni bartaraf etish usullari ko'rib chiqilgan.
- Eksperimental natijalar va ularning muhokamasi: Etalon va ion implantatsiyasi qilingan GaAs namunalarining voltamper va lyuks-amper xarakteristikalari, shuningdek, spektral xususiyatlari tahlil qilingan. Ion implantatsiyasining GaAs xususiyatlariga ta'siri baholangan.