Эдс горячих носителей, обусловленная модуляций поверхностного потенциала в сильном свч поле.

Ushbu maqola kuchli mikroto'lqinli maydonda sirt potensialining modulyatsiyasi natijasida hosil bo'ladigan issiq tashuvchilarning EMF (elektro harakatlantiruvchi kuch)ni o'rganishga bag'ishlangan. Maqolada mikroto'lqinli isitishning buzilishi rekombinatsiya oqimlari va p-n o'tish joylarida hosil bo'ladigan EMFga ta'siri tadqiq etiladi. Yuqori chastotali tebranishlar sirt potensialiga va p-n o'tish joyining to'sig'iga ta'sir qilishi, qisqa tutashuv sharoitida to'siqning samarali balandligini pasaytirishi, bo'sh rejimda esa EMFning anomaliy qiymatlariga olib kelishi ko'rsatilgan.

Asosiy mavzular

• Sirt potensialining modulyatsiyasi: Kuchli mikroto'lqinli maydonda sirt potensialining modulyatsiyasi issiq tashuvchilarning EMF hosil bo'lishiga ta'sir qiladi.
• Mikroto'lqinli isitishning buzilishi: Mikroto'lqinli isitishning buzilishi rekombinatsiya oqimlariga va p-n o'tish joylarida hosil bo'ladigan EMFga ta'sir etadi.
• P-n o'tish joyining xususiyatlari: Yuqori chastotali tebranishlar p-n o'tish joyining sirt potensialiga va to'sig'iga ta'sir qiladi, bu esa qisqa tutashuv sharoitida to'siqning samarali balandligini pasaytiradi va bo'sh rejimda EMFning anomaliy qiymatlariga olib keladi.