pSi-n(ZnSe)1-x-Y(Si2)x(GaP)y гетероструктурасининг вольт-ампер характеристикаси

Ushbu kitob yarimo'tkazgichlar va ular asosida yaratilgan geterostrukturalarning fizik xossalarini o'rganishga bag'ishlangan. Unda yarimo'tkazgich materiallarning tuzilishi, xossalari, elektr o'tkazuvchanligi, xususan (ZnSe)1-x-y(Si2)x(GaP)y qotishmasining xususiyatlari chuqur tahlil qilingan. Shuningdek, turli xil qatlamlarni o'stirish texnologiyalari va ularning elektrofizik tabiatini o'rganish masalalari yoritilgan. Kitob yakunida olingan natijalar xulosalanib, amaliyotda qo'llash istiqbollari ko'rsatilgan.

Asosiy mavzular

• Yarimo'tkazgichlar: Yarimo'tkazgichlarning tuzilishi, xossalari, elektr o'tkazuvchanligi, xususan aralashmali o'tkazuvchanlik masalalari ko'rib chiqiladi.
• pSi-n(ZnSe)1-x-y(Si2)x(GaP)y strukturasini olish: Epitaksial o'stirish usullari, murakkab yarimo'tkazgichli qatlamlarni o'stirish, qattiq qorishmani suyuq fazali epitaksiya usulida o'stirish texnologiyasi va epitaksial qatlamlarni o'stirish jarayonlari batafsil bayon etiladi.
• (ZnSe)1-x-y(Si2)x(GaP)y qatlamlarning elektrofizik tabiatini: Suyuq fazadan o'stirilgan (ZnSe)1-x-y(Si2)x(GaP)y qatlamlarning elektrofizik xususiyatlari, xona haroratida va turli temperaturalarda volt-amper xarakteristikalari o'rganiladi.