Ион бомбардимон усули билан Мо ва Si сиртида ва сирт ости соҳаларида ҳосил қилинган наноўлчамли тузилмаларнинг шаклланиш қонуниятлари ва электрон хусусиятлари
Ushbu dissertatsiya ishi fizika-matematika fanlari doktori (PhD) dissertatsiyasi boʻlib, materiallarning sirt tuzilishini atom bombardimon qilish usuli bilan oʻrganishga bagʻishlangan. Unda metall va yarimoʻtkazgichlar (Mo va Si) sirtlarida nanooʻlchamli tuzilmalar hosil qilish qonuniyatlari va elektron xususiyatlari tadqiq etilgan.
Asosiy mavzular
- Ion bombardimon usuli bilan Mo va Si sirtlarida nanooʻlchamli tuzilmalar shakllanishi: Turli energiyali ionlar bilan Mo va Si sirtlarini bombardimon qilish natijasida sirtda va sirtosti sohalarida nanooʻlchamli tuzilmalar hosil boʻlish jarayonlari oʻrganilgan. Ion energiyasi, dozasi va material xususiyatlarining tuzilma shakllanishiga taʼsiri aniqlangan.
- Nanooʻlchamli tuzilmalarning elektron xususiyatlari: Mo va Si sirtlarida hosil qilingan nanooʻlchamli tuzilmalarning elektron xususiyatlari, xususan, elektron emissiyasi, energetik zonalari va valent elektronlar zichligi kabi parametrlar tadqiq etilgan. Nanooʻlchamli tuzilmalarning elektron xususiyatlariga ion bombardimon parametrlarining taʼsiri baholangan.
- MeSi2 nanooʻlchamli fazalari: Si sirtida metall ionlari implantatsiyasi va keyingi qizdirish jarayonida MeSi2 nanooʻlchamli fazalar va qatlamlar shakllanishining qonuniyatlari aniqlangan, shuningdek ularning oʻlchamlari va energetik zona parametrlarini baholashning oʻtayotgan yorugʻlik intensivligi oʻzgarishiga asoslangan usuli ishlab chiqilgan.
- SiO2 nanooʻlchamli qatlamlari: Si sirtiga O2+ ionlarini implantatsiya qilish usuli bilan turli qalinliklardagi (d≈20-100Å) taqiqlangan zona kengligi 8,5-9 eV boʻlgan bir jinsli SiO2 ning polikristall nanoqatlami olinish texnologiyasi ishlab chiqilgan