Influence of Pressure on the Temperature Dependence of Quantum Oscillation Phenomena in Semiconductors

Ushbu maqola yarimo'tkazgichlarda kvant tebranish hodisalarining haroratga bog'liqligiga bosimning ta'sirini o'rganadi. ShdH va dHvA tebranishlariga bosimning ta'sirini hisoblash uchun ishchi formula olingan. Turli bosimlarda kvant tebranishlarining haroratga bog'liqligi aniqlangan va natijalar eksperimental ma'lumotlar bilan solishtirilgan. Bosimning taqiqlangan zonaga ta'siri tebranishlarda, ShdH va dHvA effektlarida namoyon bo'lishi ko'rsatilgan.

Asosiy mavzular

Energiya holatlarining zichligini hisoblash usuli: Kvantlovchi magnit maydonida erkin elektron gazining dinamikasi ko'rib chiqiladi. Magnit maydon yo'nalishi z o'qiga parallel bo'lganda, o'tkazuvchanlik va valentlik zonalardagi elektronlar va kovaklarning energiyalari ifodalari keltirilgan. Parabolik zona uchun siklotron massasi va Landau sathlari orasidagi holatlar soni aniqlanadi. Energiya zichligi uchun formula keltirilgan.
ShdH va dHvA tebranish effektlariga bosimning ta'siri: Ma'lumki, Landau kvantlash holatlarining zichligi magnit maydonining davriy funktsiyasidir. Bu kuchli magnit maydonida davriy bo'lgan ShdH va dHvA tebranishlariga olib keladi. Relaksatsiya vaqti va uning turli sochilish mexanizmlariga bog'liqligi muhokama qilinadi. ShdH va dHvA tebranishlarining bosimga to'liq bog'liqligi ifodalar yordamida aniqlanadi. Kritik bosim tushunchasi kiritiladi va uning qiymati baholanadi. Si da past haroratlarda ShdH va dHvA tebranish effektlarining bosimga bog'liqligi ko'rsatilgan. Bosim ortishi bilan Landau sathlarining shakli o'zgaradi va tebranishlar soni kamayadi.
Tor zinali yarimo'tkazgichlarda noparaboliklikning tebranishlarga ta'siri: Tor zinali yarimo'tkazgichlarda ShdH tebranishlarining bosimga ta'siri o'rganilgan. Ushbu yarimo'tkazgichlarning muhim xususiyati - o'tkazuvchanlik zonasining kuchli noparabolikligidir. Bu Kane modelining chegaraviy holatiga olib keladi. Bunday yarimo'tkazgichlarning taqiqlangan zonasining qiymati past bo'lganligi sababli, bosim, harorat va tashqi maydonlarga kuchli bog'liqlik namoyon bo'ladi. Energiya holatlarining zichligi uchun formula keltirilgan va bosimning ShdH tebranishlariga ta'siri aniqlangan.