Қадмий теллуриди асосидаги инжекцион фотоқабулқилгичлардаги электрон жараёнлар

Ushbu avtoreferat Abatbay Kurbaniyazovich Uteniyazovning "Kадмий теллуриди асосидаги инжекцион фотоқабулқилгичлардаги электрон жараёнлар" mavzusidagi dissertatsiyasini yoritadi. Unda jumladan, zamonaviy yarimo'tkazgichlar fizikasida yuqori sezgirlikka ega bo'lgan fotoqabul qilgich strukturalarni yaratish hamda bu strukturalardagi elektron va inyektsion jarayonlarni o'rganish masalalari muhokama qilinadi. Tadqiqotda CdTe asosidagi inyektsion fotoqabul qilgichlar, ularning ishlash mexanizmlari, elektrooptik xususiyatlari va turli omillar, jumladan ultratovush nurlanishining ta'siri o'rganilgan. Ishlab chiqilgan fotoqabul qilgichning optik signallarni qayta ishlashdagi samaradorligi ham ko'rsatib o'tilgan.

Asosiy mavzular

Kадмий теллуриди асосида инжекцион фотоқабулқилгичларда электрон жараёнлар: Tadqiqotning asosiy maqsadi p-CdTe asosidagi inyektsion fotoqabul qilgichlarni yaratish va ulardagi elektron jarayonlarni o'rganishdan iborat. Jumladan, CdTe plyonkalarini olish texnologiyasi, ulardan MOPS-strukturalar tuzish va ularning elektrooptik xususiyatlari o'rganilgan.
Elektron jarayonlarning ultratovush nurlanishiga ta'siri: Ushbu qismda ultratovush nurlanishining (UZN) fotoqabul qilgichlarning elektrooptik xususiyatlariga ta'siri tadqiq etilgan. UZN ta'siridan so'ng toklarning o'zgarishi va rektifikatsiya koeffitsientining oshishi qayd etilgan.
Al-Al2O3-p-CdTe-MoO3-Mo strukturasining fotodetektor sifatida qo'llanilishi: Tadqiqotda ishlab chiqilgan Al-Al2O3-p-CdTe-MoO3-Mo strukturasining keng diapazondagi optik signallarni qayta ishlash va kuchaytirishdagi samaradorligi ko'rsatilgan. Ushbu strukturaning boshqa qurilmalar ishlab chiqishdagi istiqbollari ham bayon etilgan.