Яримўтказгич-диэлектрик чегара бўлими фазаларининг динамик хоссалари
Ushbu dissertatsiya Al-Si-SiO2-n-Si va Al-Si-steko tuzilmalari chegaralaridagi fizik jarayonlarni, jumladan, zaryad tashuvchilarning dinamikasini o'rganishga bag'ishlangan. Tadqiqotda tashqi omillarning (bosim, ultratovush, harorat, rentgen nurlanishi va boshqalar) bu tuzilmalar va ularning elektr-fizik xususiyatlariga ta'siri tahlil qilingan. Natijada, yarim o'tkazgich-dielektrik chegaralaridagi holatlar zichligini aniqlashning yangi usullari taklif etilgan va AMF tuzilmalarining ishonchliligini oshirish bo'yicha tavsiyalar berilgan.
Asosiy mavzular
- Al-Si-SiO2-n-Si va Al-Si-steko tuzilmalarining chegaraviy xususiyatlariga tashqi omillarning ta'siri: Tadqiqotda turli tashqi omillarning (bosim, ultratovush, harorat, rentgen nurlanishi va boshqalar) yarim o'tkazgich-dielektrik chegaralaridagi fizik jarayonlarga va zaryad tashuvchilarning dinamikasiga ta'siri o'rganilgan. Natijalarga ko'ra, ushbu omillar chegaraviy holatlar zichligini o'zgartirishi va tuzilmalarning elektr-fizik xususiyatlariga ta'sir qilishi aniqlangan.
- Yarim o'tkazgich-dielektrik chegaralaridagi holatlar zichligini aniqlash usullari: Dissertatsiyada yarim o'tkazgich-dielektrik chegaralaridagi holatlar zichligini aniqlashning yangi usullari taklif etilgan. Bu usullar, jumladan, C-V xarakteristikalarini va izotermik relaksatsiya usulini qo'llashga asoslangan bo'lib, tadqiqot natijalarini yanada aniqroq tahlil qilishga yordam beradi.
- AMF tuzilmalarining ishonchliligini oshirish bo'yicha tavsiyalar: Olingan natijalarga asoslanib, AMF tuzilmalarining ishonchliligini va barqarorligini oshirish bo'yicha tavsiyalar berilgan. Bu tavsiyalar, jumladan, tuzilmalarni tayyorlash texnologiyasini takomillashtirish va ularga qo'llaniladigan tashqi ta'sirlarni nazorat qilishni o'z ichiga oladi.