Influence of introduced atoms on the coefficients of splitting Si and SiO2/Si

Ushbu maqola Si va SiO2/Si sirtlarida Ba+, Na+, Co+ ionlarini implantatsiya qilish va keyinchalik termik ishlash natijasida hosil bo'lgan epitaksial metall silitsidlari haqida. Ishda ion implantatsiyasi jarayonining yuzaki qatlamlar tarkibi va sirt energiyasi bilan bog'liq o'zgarishlar o'rganilgan. Ayniqsa, Ba atomlarining Si sirtidagi sputtering koeffitsientiga ta'siri va SiO2/Si tizimidagi SiO2 yupqa plyonkasining ion bombardimonidan buzilishi tahlil qilingan. Eksperimental va nazariy hisob-kitoblar natijalari taqqoslanib, Ba atomlarining Si ichidagi konsentratsiyasi va tarqalishi aniqlangan. Shuningdek, SiO2 plyonkasining buzilishi natijasida hosil bo'lgan atom zarrachalarining harakatlanishi haqida ma'lumot berilgan.

Asosiy mavzular

• Ion implantatsiyasi va metall silitsidlar hosil bo'lishi: Maqolada Si va SiO2/Si substratlarida Ba+, Na+, Co+ kabi ionlarni implantatsiya qilish va keyinchalik termik ishlov berish orqali metall silitsidlarining epitaksial qatlamlari hosil qilinishi o'rganilgan. Bu jarayonlarning yuzaki qatlam tarkibiga va xususiyatlariga ta'siri tahlil qilingan.
• Sirt energiyasi va sputtering jarayonlari: Maqolada ion implantatsiyasi jarayonining yuzaki qatlamning sputtering koeffitsientiga ta'siri, xususan Ba atomlarining Si sirtidagi sputtering koeffitsientiga ta'siri o'rganilgan. Ushbu jarayonlarning ion turi, materiali, energiyasi va zarba burchagiga bog'liqligi ko'rsatilgan.
• SiO2 plyonkasining ion bombardimonidan buzilishi: SiO2/Si tizimida SiO2 yupqa plyonkasining ion bombardimonidan buzilishi, jumladan Si-O bog'larining uzilishi, sputtering va kislorod atomlarining substratga o'tishi natijasida atomik to'qnashuvlar kaskadlari tahlil qilingan. Bunda hosil bo'lgan kislorod atomlarining migratsiyasi ham ko'rsatilgan.
• Nazariy hisob-kitoblar va eksperimental ma'lumotlar: Maqolada Monte-Karl dinamik modeli (CASNEW-D) yordamida o'tkazilgan nazariy hisob-kitoblar va Auger elektron spektroskopiyasi (AES) hamda boshqa usullar orqali olingan eksperimental natijalar taqqoslangan. Ba atomlarining Si ichidagi tarqalishi profillari aniqlangan va ularning dozaga bog'liqligi ko'rsatilgan.