ИССЛЕДОВАНИЕ МЕТОДОМ РОР ПРОФИЛЯ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ ИОННО-ИМПЛАНТИРОВАННЫХ АТОМОВ Fe В Si

Ushbu maqolada "Rutherford backscattering" (RBS) usuli yordamida Si (111) kristalli asosidagi kremniyga Fe ionlarini implantatsiya qilish natijasida Fe atomlarining taqsimlanish profillari o'rganilgan. Tadqiqotda Fe atomlarining taqsimlanishiga implantatsiya dozasi va termik ishlov berish haroratining ta'siri ko'rib chiqilgan. Shuningdek, termik ishlov berish Fe va boshqa aralashmalar, xususan kislorodning taqsimlanishiga qanday ta'sir qilishi o'rganilgan. RBS usulining dopant aralashmalarining konsentratsion taqsimlanishi va aralashmalar orasidagi o'zaro ta'sirni tahlil qilishdagi imkoniyatlari ham ko'rsatib o'tilgan.

Asosiy mavzular

• Rutherford backscattering (RBS) usuli: RBS usuli Fe atomlarining Si kristalidagi konsentratsion taqsimlanishini va ular orasidagi o'zaro ta'sirini o'rganish uchun ishlatilgan asosiy tahlil usuli hisoblanadi.
• Ion implantatsiyasi va Fe taqsimlanish profillari: Maqolada Fe ionlarini kremniyga implantatsiya qilish natijasida hosil bo'lgan atomlarning taqsimlanish profillari o'rganilgan. Ushbu taqsimlanishning implantatsiya dozasi va ishlov berish haroratiga bog'liqligi tahlil qilingan.
• Termik ishlov berishning ta'siri: Termik ishlov berish jarayoni Fe va boshqa aralashmalar (masalan, kislorod)ning Si kristalidagi taqsimlanishiga qanday ta'sir qilishi o'rganilgan. Ishlov berish haroratining o'zgarishi bilan Fe atomlarining konsentratsiyasi va joylashuvi o'zgargani kuzatilgan.