СИСТЕМЫ КОНТРОЛЯ И УПРАВЛЕНИЯ ДОСТУПОМ

Ushbu kitobda Si-Cu qatlamli tuzilmalariga kobalt (Co⁺) ionlari bilan implantatsiya ta'sirining tahlili berilgan. Tadqiqot natijalari shuni ko'rsatadiki, kobalt ionlari bilan bombardimon qilish va keyinchalik termik ishlov berish, qalin Si-Cu qatlamlari kabi, Si-Cu tuzilmalarida CoSi₂ fazasining hosil bo'lishiga olib keladi. Shuningdek, implantatsiyadan so'ng Cu ning Si ichidagi diffuziyasi sezilarli darajada oshadi, bu esa olingan materialning elektr va strukturali xususiyatlariga ta'sir qiladi.

Asosiy mavzular

• Cobalt ionlari bilan implantatsiyaning Si-Cu tuzilmalariga ta'siri: Tadqiqotda Si-Cu qatlamli tuzilmalariga Co⁺ ionlarini implantatsiya qilish jarayoni va uning natijalari batafsil o'rganilgan. Implantatsiyadan oldin va keyin tuzilmalar tarkibining o'zgarishi, atomlar tarqalishi profili hamda boshqa fizik parametrlari tahlil qilingan. Xususan, kislorod va uglerod kabi qo'shimcha elementlarning konsentratsiyasining pasayishi qayd etilgan.
• CoSi₂ fazasining hosil bo'lishi: Kobalt ionlari bilan bombardimon qilish va keyinchalik termik ishlov berish, xususan Si-Cu tuzilmalarida CoSi₂ fazasining hosil bo'lishiga olib kelishi aniqlangan. Bu fazaning hosil bo'lishi va uning xususiyatlari jadvalda keltirilgan ma'lumotlar orqali tasvirlangan.
• Bakirning Si ichidagi diffuziyasi: Implantatsiyadan keyin Si-Cu tuzilmalarida misning (Cu) Si ichidagi diffuziyasi sezilarli darajada oshadi. Ushbu hodisa tuzilmaning umumiy xususiyatlarini, shu jumladan elektr o'tkazuvchanligini ham o'zgartirishi mumkinligi haqida ma'lumot berilgan.