Кремний, арсенид-галлий, рух-селен, кадмий-олтингугурти асосидаги қаттиқ қоришмаларида киритмаларнинг ўзаро таъсири ва улардан олинган гетероструктураларнинг электрофизик хоссалари

Ushbu doktorlik dissertatsiyasi yarim o'tkazgichlar fizikasi sohasidagi tadqiqotlarni o'z ichiga oladi. Asosiy e'tibor kremniy, galliy arsenidi, rux selenid va kadmiy sulfidi asosidagi qattiq eritmalaridagi kirishmalar o'zaro ta'sirini va ulardan olingan geterostrukturalarning elektrofilik xossalarini o'rganishga qaratilgan. Tadqiqotda turli yarim o'tkazgichli materiallarning tuzilishi, fotoelektr va optik xossalari, shuningdek, molekulyar kirishmalarning ta'siri chuqur tahlil qilingan. Tadqiqot natijalari yangi yarim o'tkazgich materiallar va qurilmalar yaratish uchun muhim nazariy va amaliy ahamiyatga ega.

Asosiy mavzular

Yarimo'tkazgichli qattiq eritmalar va ularning xossalari: Dissertatsiyada kremniy, galliy arsenidi, rux selenid va kadmiy sulfidi kabi turli yarimo'tkazgichlarning qattiq eritmalaridagi kirishmalar o'zaro ta'sirining nazariy va eksperimental tadqiqotlari keltirilgan. Bu eritmalar asosida yaratilgan geterostrukturalarning tuzilishi, fotoelektr va optik xossalari batafsil o'rganilgan.
Molekulyar kirishmalarning ta'siri: Tadqiqotda Si₂, GaAs, CdS va ZnSe kabi molekulyar kirishmalarning yarimo'tkazgichli qattiq eritmalar va geterostrukturalarning elektrofilik va fotoelektr xossalariga ta'siri o'rganilgan. Bu kirishmalarning energiyaviy darajalariga va ularining xossalariga ta'siri aniqlangan.
Getorostrukturalarning elektrofilik xossalari: Olingan yarimo'tkazgichli qattiq eritmalar asosida yaratilgan geterostrukturalarning elektrofilik va fotoelektr xossalari, jumladan, foto sezgirligi va fototoki kabi parametrlar o'rganilgan. Tadqiqotda yangi effektlar va qonuniyatlar kashf etilgan.