The dependence of the energy absorbed photon on the magnetic field in semiconductors

Ushbu maqola yarim o'tkazgichlarda (semiconductors) magnit maydoni ta'sirida yutilgan foton energiyasining o'zgarishini tahlil qiladi. Tadqiqotda, ayniqsa, kandisplyus-minus dispersion qonuni (Kane dispersion law) ga ega bo'lgan materiallar uchun magnit maydonning ta'siri, elektronlarning kvantlanish holatlari va ular bilan bog'liq bo'lgan qo'shma holat zichligining (joint density of states - JDOS) o'zgarishlari ko'rib chiqiladi. Tadqiqotda nazariy hisob-kitoblar va eksperimental natijalar (InAs va InSb materiallari uchun) taqqoslanadi va ular o'rtasidagi moslik ko'rsatiladi. Maqolada magnit maydon ta'sirida materiallarning chastotasi va energiya "teshigi" ning o'zgarishi ham tahlil qilingan.

Asosiy mavzular

Kandisplyus-minus dispersion qonuni bo'yicha JDOS ning magnit maydoniga bog'liqligi: Ushbu mavzu yarim o'tkazgichlarda kandisplyus-minus dispersion qonuni bo'yicha qo'shma holat zichligining (JDOS) magnit maydoni ta'sirida qanday o'zgarishi tahlil qilinadi. Bunda elektrondaning kvantlanish holatlari va ularning magnit maydoniga bog'liqligi ko'rib chiqiladi. Nazariy hisob-kitoblar keltirilgan.
Parabolik va kandisplyus-minus dispersion qonunlari bo'yicha JDOS ning taqqoslanishi: Maqolada parabolik va kandisplyus-minus dispersion qonunlariga ega bo'lgan yarim o'tkazgichlar uchun JDOS ning taqqoslanishi amalga oshiriladi. Turli LL (Landau Levels) lar uchun JDOS ning o'zgarishi grafiklar yordamida ko'rsatilgan va ularning farqlari tahlil qilingan.
Yutilgan foton energiyasi va energiya teshigining magnit maydoniga bog'liqligi: Mavzu yarim o'tkazgichlarda, xususan InSb, yutilgan foton energiyasi va energiya teshigining (band gap) magnit maydoniga qanday bog'liqligi o'rganiladi. Nazariy hisob-kitoblar va eksperimental ma'lumotlar asosida bu bog'liqlikning chiziqli emasligi ko'rsatiladi.