Эдс горячих носителей, обусловленная модуляций поверхностного потенциала в сильном свч поле.
Ushbu maqola kuchli mikroto'lqinli maydonda sirt potensialining modulyatsiyasi natijasida hosil bo'ladigan issiq tashuvchilarning EMF (elektro harakatlantiruvchi kuch)ni o'rganishga bag'ishlangan. Maqolada mikroto'lqinli isitishning buzilishi rekombinatsiya oqimlari va p-n o'tish joylarida hosil bo'ladigan EMFga ta'siri tadqiq etiladi. Yuqori chastotali tebranishlar sirt potensialiga va p-n o'tish joyining to'sig'iga ta'sir qilishi, qisqa tutashuv sharoitida to'siqning samarali balandligini pasaytirishi, bo'sh rejimda esa EMFning anomaliy qiymatlariga olib kelishi ko'rsatilgan.