Bosh sahifa>Qidiruv natijalari
🔍

АРСЕНИД ГАЛЛИЙ ЯРЫМӨТКИЗГИШЛИ ӘСБАПЛАРДЫҢ ЭЛЕКТРОФИЗИКАЛЫҚ ПАРАМЕТРЛЕРИНЕ ИМПУЛЬСЛИ ЛАЗЕРИНИҢ ТӘСИРИН ҮЙРЕНИЎ

Ushbu doktorlik dissertatsiyasi yarim o'tkazgichli materiallarning lazer nurlanishiga ta'sirini, xususan, GaAs materiallarining optik va elektr xususiyatlariga ta'sirini o'rganishga bag'ishlangan. Tadqiqotda lazer nurlanishining materiallar tuzilishi va elektr xususiyatlariga ta'siri, shuningdek, bu effektlarning sensorlar va boshqa yarim o'tkazgichli asboblar ishlab chiqarishda qo'llanilishi masalalari ko'rib chiqilgan. Dissertatsiyada tajribalardan olingan natijalar tahlil qilinib, lazer nurlanishining materiallarning xususiyatlarini yaxshilash yoki o'zgartirishdagi roli ko'rsatib berilgan. Tadqiqot, shuningdek, mikrosxemalar va yarim o'tkazgichli qurilmalar ishlab chiqarish uchun yangi texnologiyalarni rivojlantirishga qaratilgan.

🔑 Kalit soʻz🎯 100.0%

Арсенид галлий тагликка ўстирилган (GaAs)1-x( ZnSe)x қаттиқ қотишманинг электрофизик хоссаларига гамма нурланишнинг таъсири

Ushbu bitiruv malakaviy ishi "Arsenid galliy taglikka o'stirigan (GaAs)1-x(ZnSe)x qattiq qotishmasining elektrofilzix xossalari gamma nurilanish ta'siri" mavzusiga bag'ishlangan. Ishda yangi yarim o'tkazgich materialni o'stirish texnologiyasi va uning tuzilishi, elektrofilzix xossalari o'rganilgan. Ishda mazkur materialning gamma nurilishi ta'sirida qanday o'zgarishlar sodir bo'lishi tadqiq etilgan.

🔑 Kalit soʻz🎯 100.0%

Кремний, арсенид-галлий, рух-селен, кадмий-олтингугурти асосидаги қаттиқ қоришмаларида киритмаларнинг ўзаро таъсири ва улардан олинган гетероструктураларнинг электрофизик хоссалари

Ushbu doktorlik dissertatsiyasi yarim o'tkazgichlar fizikasi sohasidagi tadqiqotlarni o'z ichiga oladi. Asosiy e'tibor kremniy, galliy arsenidi, rux selenid va kadmiy sulfidi asosidagi qattiq eritmalaridagi kirishmalar o'zaro ta'sirini va ulardan olingan geterostrukturalarning elektrofilik xossalarini o'rganishga qaratilgan. Tadqiqotda turli yarim o'tkazgichli materiallarning tuzilishi, fotoelektr va optik xossalari, shuningdek, molekulyar kirishmalarning ta'siri chuqur tahlil qilingan. Tadqiqot natijalari yangi yarim o'tkazgich materiallar va qurilmalar yaratish uchun muhim nazariy va amaliy ahamiyatga ega.

🔑 Kalit soʻz🎯 100.0%

Фотоэлектрические явления в однобазовых арсенидгаллиевых структурах с прямо и обратно включенными барьерами

Ushbu hujjat - fizika-matematika fanlari nomzodi ilmiy darajasini olish uchun taqdim etilgan dissertatsiya avtoreferati bo'lib, yarimo'tkazgichlar fizikasiga oid tadqiqot natijalarini o'z ichiga oladi. Unda arsenidgalliy asosidagi tuzilmalarning fotoelektrik xossalari, xususan, to'g'ri va teskari ulangan to'siqlarga ega bo'lgan tuzilmalardagi hodisalar o'rganilgan. Avtoreferat tadqiqotning dolzarbligi, maqsad va vazifalari, ilmiy yangiliklari, amaliy ahamiyati, himoyaga olib chiqiladigan asosiy qoidalar, tadqiqot metodlari va olingan natijalarni qisqacha bayon qiladi. Shuningdek, dissertatsiya tuzilishi, hajmi va nashr qilingan ishlar ro'yxati keltirilgan.

🔑 Kalit soʻz🎯 73.4%

Формирование элементарных бинарных ячеек в решетки кремния с участием Ga и Sb

Ushbu maqolada kremniy asosida yangi yarim o'tkazgich material yaratish konsepsiyasi ilgari suriladi. Ushbu material quyosh nurlanishining deyarli butun spektrini yutishga qodir. Tadqiqotda kremniy panjarasida galliy (Ga) va surma (Sb) atomlari ishtirokida yangi elementar yachaklarni hosil qilishning fizik mohiyati tushuntirilgan. Tadqiqot natijasida yarim o'tkazgichli materiallarning quyosh energiyasini olishdagi samaradorligini oshirish imkoniyati ko'rsatilgan.

🔑 Kalit soʻz🎯 73.2%

Формирование элементарных бинарных ячеек в решетки кремния с участием Ga и Sb

Ushbu maqola kremniy asosida yangi yarimo'tkazgichli materialni yaratish bo'yicha yangi yondashuvni taqdim etadi. Maqolada Ga va Sb atomlari ishtirokida kremniy panjarasida yangi elementar xujayralarni hosil qilish orqali quyosh nurlanishining deyarli butun spektrini qamrab oladigan materialni olish usuli bayon etilgan. Tadqiqot natijalari shuni ko'rsatadiki, bu yangi xujayralar kremniyning termodinamik holatini yaxshilaydi va tizimning o'z-o'zini tashkil etish jarayonini rag'batlantiradi. Rengenografik tahlil va atom-kuch mikroskopiyasi kabi zamonaviy usullar yordamida o'tkazilgan tadqiqotlar bu xujayralarning mavjudligini tasdiqlaydi. Natijada, kremniyning kristal panjarasida yangi elementar xujayralar paydo bo'lishi, ularning konsentratsiyasi va kimyoviy xossalarining o'zgarishi bilan birga, kremniyning fundamental parametrlarini o'zgartiradi va keng spektral sezuvchanlikka ega bo'lgan yangi yarimo'tkazgichli materialni olish imkonini beradi.

🔑 Kalit soʻz🎯 73.2%

Электронная структура наноразмерных структур, созданных в приповерхностной области пленок Si И GaAs

Ushbu maqola Si va GaAs nanokristallik plyonkalari yaqin yuzasi mintaqasida yaratilgan nanostrukturalar elektron tuzilishini o'rganishga bag'ishlangan. Tadqiqotda elektron spektroskopiyasi usullaridan foydalanilgan bo'lib, natijada turlicha valentlik zonalarining energiya spektri va ularning bir-biriga nisbatan joylashuvi aniqlangan. Maqolada nanostrukturalar elektron tuzilishini o'rganishning nazariy va eksperimental jihatlari ko'rib chiqilgan. Xususan, Si va GaAs nanokristallik plyonkalarning valentlik zonasi tuzilishi, ularning energetik xususiyatlari va energiyaviy darajalarini aniqlash usullari tahlil qilingan. Yuqori energiya fotonlari yordamida o'tkazilgan tadqiqotlar natijasida olingan ma'lumotlar tahlil qilinib, nanostrukturalar elektron xususiyatlari haqida xulosalar chiqarilgan.

🔑 Kalit soʻz🎯 73.0%

Состав и структура наноразмерных слоев Ga 1−xNax As, созданныхв приповерхностной области GaAs имплантацией ионов Na +

Ushbu maqolada Si (111) monokristallarining yuzasi uchun qo'shimcha tozalash usuli taqdim etiladi. Ushbu usul vakuumda termik ishlov berish va ionli bombardimonlashni o'z ichiga oladi, so'ngra Ba+ ionlari yoki boshqa ishqoriy metallar bilan bombardimonlash va yuqori haroratda qisqa muddatli (1 min) termik ishlov berish orqali ularni olib tashlash bilan yakunlanadi. Tadqiqot natijalari shuni ko'rsatadiki, Ba+ ionlari va ishqoriy elementlarning qo'shimcha tozalash effekti, ular faol bo'lib, aralashmalar (O, C, S, N va boshqalar) bilan birikmalar hosil qiladi va keyingi yuqori haroratli ishlov berishda olib tashlanadi. Maqolada Si (111) monokristallining tozalash jarayonining turli bosqichlari va ularning natijalari tahlil qilingan.

🔑 Kalit soʻz🎯 72.9%

Состав и структура наноразмерных слоев Ga 1−xNax As, созданныхв приповерхностной области GaAs имплантацией ионов Na +

Ushbu maqola Si(111) monokristallining yuzasini tozalashning yangi usulini taqdim etadi. Usul past energiyali Ba ionlari bilan bombardimonlash va yuqori haroratli termal ishlov berishni o'z ichiga oladi. Ushbu usul materialning tozaligini va kristalli tuzilishini yaxshilashga qaratilgan.

🔑 Kalit soʻz🎯 72.9%