Галлий, индий ва таллий билан легирланган Zn22AL қотишмасининг анод хоссаси ва оксидланиши, уларнинг хоссаларининг ўзгаришини моделлаштириш
Qisqacha mazmun mavjud emas.
Арсенид галлий тагликка ўстирилган (GaAs)1-x( ZnSe)x қаттиқ қотишманинг электрофизик хоссаларига гамма нурланишнинг таъсири
Ushbu bitiruv malakaviy ishi "Arsenid galliy taglikka o'stirigan (GaAs)1-x(ZnSe)x qattiq qotishmasining elektrofilzix xossalari gamma nurilanish ta'siri" mavzusiga bag'ishlangan. Ishda yangi yarim o'tkazgich materialni o'stirish texnologiyasi va uning tuzilishi, elektrofilzix xossalari o'rganilgan. Ishda mazkur materialning gamma nurilishi ta'sirida qanday o'zgarishlar sodir bo'lishi tadqiq etilgan.
АРСЕНИД ГАЛЛИЙ ЯРЫМӨТКИЗГИШЛИ ӘСБАПЛАРДЫҢ ЭЛЕКТРОФИЗИКАЛЫҚ ПАРАМЕТРЛЕРИНЕ ИМПУЛЬСЛИ ЛАЗЕРИНИҢ ТӘСИРИН ҮЙРЕНИЎ
Ushbu doktorlik dissertatsiyasi yarim o'tkazgichli materiallarning lazer nurlanishiga ta'sirini, xususan, GaAs materiallarining optik va elektr xususiyatlariga ta'sirini o'rganishga bag'ishlangan. Tadqiqotda lazer nurlanishining materiallar tuzilishi va elektr xususiyatlariga ta'siri, shuningdek, bu effektlarning sensorlar va boshqa yarim o'tkazgichli asboblar ishlab chiqarishda qo'llanilishi masalalari ko'rib chiqilgan. Dissertatsiyada tajribalardan olingan natijalar tahlil qilinib, lazer nurlanishining materiallarning xususiyatlarini yaxshilash yoki o'zgartirishdagi roli ko'rsatib berilgan. Tadqiqot, shuningdek, mikrosxemalar va yarim o'tkazgichli qurilmalar ishlab chiqarish uchun yangi texnologiyalarni rivojlantirishga qaratilgan.
Галлий арсениди асосидаги фотосезгир кўпқатламли тузилмаларни тайёрлаш технологиясини ишлаб чиқиш
Ushbu hujjatda yarimo'tkazgichli materiallarni suyuq epitaksiya usuli bilan o'stirish, galliy arsenid asosidagi ko'p qatlamli fotosezgir tuzilmalarni tayyorlash texnologiyasi, ularning xarakteristikalari va yangi ulanish rejimlari tadqiq etilgan. Quyosh energiyasini o'zgartirish va yarimo'tkazgich asboblar sohasidagi tadqiqotlar yoritilgan.
Галлий арсениди асосидаги уч тўсиқли фотодиоднинг электрофизик ва спектрал характеристикалари
Ushbu kitob yarimo'tkazgichli fotodiodlarning fizik xususiyatlarini o'rganishga bag'ishlangan. Unda galliy arsenidi asosidagi uch to'siqli fotodiodlarning elektrofizik va spektral tavsiflari batafsil tahlil qilingan. Material yarimo'tkazgich asboblarining ishlash mexanizmlari va ularni qo'llash sohalarini yoritadi.
Кремний, арсенид-галлий, рух-селен, кадмий-олтингугурти асосидаги қаттиқ қоришмаларида киритмаларнинг ўзаро таъсири ва улардан олинган гетероструктураларнинг электрофизик хоссалари
Ushbu doktorlik dissertatsiyasi yarim o'tkazgichlar fizikasi sohasidagi tadqiqotlarni o'z ichiga oladi. Asosiy e'tibor kremniy, galliy arsenidi, rux selenid va kadmiy sulfidi asosidagi qattiq eritmalaridagi kirishmalar o'zaro ta'sirini va ulardan olingan geterostrukturalarning elektrofilik xossalarini o'rganishga qaratilgan. Tadqiqotda turli yarim o'tkazgichli materiallarning tuzilishi, fotoelektr va optik xossalari, shuningdek, molekulyar kirishmalarning ta'siri chuqur tahlil qilingan. Tadqiqot natijalari yangi yarim o'tkazgich materiallar va qurilmalar yaratish uchun muhim nazariy va amaliy ahamiyatga ega.
Физические основы контактов металл- gaas(gap, inp), сформированных чистыми металлами и аморфными пленками tibx
Ushbu dissertatsiya Kamolov Amangeldi Bazarbayevich tomonidan yaratilgan boʻlib, metall-GaAs (GaP, InP) kontaktlarining fizik asoslariga bagʻishlangan. Unda toza metallar va amorf TiBx plyonkalari yordamida yaratilgan Schottki toʻsiqli qurilmalarning barqarorligini oshirish mexanizmlari oʻrganilgan. Dissertatsiyada gamma-radiatsiya, mikrotoʻlqinli nurlanish va tezkor termik ishlov berishning taʼsiri tahlil qilingan, shuningdek, yangi texnologik yondashuvlar, xususan, InPning gʻovakli substratlarida suyuq fazali epitaksiya usuli bilan oʻstirilgan avtoepitaksial plyonkalari ishlab chiqilgan.
Формирование элементарных бинарных ячеек в решетки кремния с участием Ga и Sb
Ushbu maqolada kremniy asosida yangi yarim o'tkazgich material yaratish konsepsiyasi ilgari suriladi. Ushbu material quyosh nurlanishining deyarli butun spektrini yutishga qodir. Tadqiqotda kremniy panjarasida galliy (Ga) va surma (Sb) atomlari ishtirokida yangi elementar yachaklarni hosil qilishning fizik mohiyati tushuntirilgan. Tadqiqot natijasida yarim o'tkazgichli materiallarning quyosh energiyasini olishdagi samaradorligini oshirish imkoniyati ko'rsatilgan.
Формирование элементарных бинарных ячеек в решетки кремния с участием Ga и Sb
Ushbu maqola kremniy asosida yangi yarimo'tkazgichli materialni yaratish bo'yicha yangi yondashuvni taqdim etadi. Maqolada Ga va Sb atomlari ishtirokida kremniy panjarasida yangi elementar xujayralarni hosil qilish orqali quyosh nurlanishining deyarli butun spektrini qamrab oladigan materialni olish usuli bayon etilgan. Tadqiqot natijalari shuni ko'rsatadiki, bu yangi xujayralar kremniyning termodinamik holatini yaxshilaydi va tizimning o'z-o'zini tashkil etish jarayonini rag'batlantiradi. Rengenografik tahlil va atom-kuch mikroskopiyasi kabi zamonaviy usullar yordamida o'tkazilgan tadqiqotlar bu xujayralarning mavjudligini tasdiqlaydi. Natijada, kremniyning kristal panjarasida yangi elementar xujayralar paydo bo'lishi, ularning konsentratsiyasi va kimyoviy xossalarining o'zgarishi bilan birga, kremniyning fundamental parametrlarini o'zgartiradi va keng spektral sezuvchanlikka ega bo'lgan yangi yarimo'tkazgichli materialni olish imkonini beradi.
Temir-Galliy sistemasi birikmalarining yuqori temperaturada elektr xossasini o’rganish.
Ushbu bitiruv malakaviy ishi temir va galliy (Fe-Ga) sistemasi birikmalarining yuqori haroratlardagi elektr xossalarini o'rganishga bag'ishlangan. Ishda materialshunoslik, fizika va elektr o'tkazuvchanlikka oid nazariy ma'lumotlar, o'lchash uskunalarining tavsifi, tajriba natijalari va ularning tahlili keltirilgan. Asosiy e'tibor Fe-Ga intermetallik birikmalarining solishtirma elektr qarshiligini temperatura va tarkibga bog'liqligini eksperimental o'rganishga qaratilgan.