Ushbu kitobda yarimo'tkazgichli materiallar va strukturalarni impulsli lazer yordamida qayta ishlash usullari optimallashtirilgan. Cd(Me)Te va Ga(As, Se, N) kristallari asosida defektlar hosil bo'lishi, diffuziya jarayonlari, akustik emissiya va nurlanish hodisalari o'rganilgan. Materiallarning fotoelektrik va optik xususiyatlarini boshqarish yo'llari ko'rsatilgan.
Ushbu maqola ion-implantatsiya qilingan yarimo'tkazgichlar va ularning elektron tuzilishi haqida ma'lumot beradi. Tadqiqotda Si, GaAs va CdTe kabi yarimo'tkazgichlarga ion implantatsiyasi qo'llanilgan. Maqolada ion implantatsiyasining yarimo'tkazgichlarning optik va tuzilishi xususiyatlariga ta'siri o'rganilgan. Xususan, Si ning yuzasi NaNiSi2 bilan qoplangan namunalarning tuzilishi va elektron xususiyatlari tadqiq qilingan. Shuningdek, GaAs va CdTe yarimo'tkazgichlariga Ba+ ionlari implantatsiyasi natijasida hosil bo'lgan CdMeTe/CdTe tuzilmalari o'rganilgan.
Ushbu avtoreferat Abatbay Kurbaniyazovich Uteniyazovning "Kадмий теллуриди асосидаги инжекцион фотоқабулқилгичлардаги электрон жараёнлар" mavzusidagi dissertatsiyasini yoritadi. Unda jumladan, zamonaviy yarimo'tkazgichlar fizikasida yuqori sezgirlikka ega bo'lgan fotoqabul qilgich strukturalarni yaratish hamda bu strukturalardagi elektron va inyektsion jarayonlarni o'rganish masalalari muhokama qilinadi. Tadqiqotda CdTe asosidagi inyektsion fotoqabul qilgichlar, ularning ishlash mexanizmlari, elektrooptik xususiyatlari va turli omillar, jumladan ultratovush nurlanishining ta'siri o'rganilgan. Ishlab chiqilgan fotoqabul qilgichning optik signallarni qayta ishlashdagi samaradorligi ham ko'rsatib o'tilgan.
Dissertatsiya Mamadaliyevaning "CdTe dan tayyorlangan fotosensir pardalar va BiTeSb-BiTeSe termoelektrik materiallar asosida ko'p maqsadli fototermoelektrik o'zgartirgichlar yaratish bo'yicha tadqiqotlar" mavzusidagi ishidir. Dissertatsiya yarimo'tkazgichlar fizikasi sohasida nomzodlik dissertatsiyasi sifatida taqdim etilgan.
Ushbu maqolada CdTe nanokristall qatlamlarining fotosensitivlik xususiyatlarining deformatsiyaga ta'sirida o'rganilgan. Tadqiqot natijalari shuni ko'rsatadiki, CdTe qatlamlarining mikro-potensial to'siqlarining balandligi deformatsiya sharoitida o'zgaradi va bu o'zgarishlar qatlamning fotosensitivlik xossalariga ta'sir qiladi. Ayniqsa, kuchlanishning ortishi bilan mikro-potensial to'siqlarning balandligi ortishi kuzatilgan. Bu holat qatlam yuzasi holatining o'zgarishi bilan bog'liq. Tadqiqotda CdTe qatlamlarining yorug'lik o'tkazuvchanligi deformatsiya vaqtida ham ko'rib chiqilgan.
Ushbu tadqiqot Fergana davlat universiteti va TUIT Fergana filiali olimlari tomonidan "Nanokristall fotohassoslikka ega bo'lgan p-CdTe ingichka plyonkalarida deformatsiya effektlarini o'rganish" mavzusida olib borilgan ilmiy ishning natijalarini o'z ichiga oladi. Ishda CdTe:Ag va CdTe:Cu qo'shimchalari bilan legirlangan nanokristall ingichka plyonkalarning fotohassoslik va tenzohassoslik xususiyatlari o'rganilgan. Deformatsiya, xususan cho'zilish deformatsiyasi ta'sirida plyonkalarning elektr va optik xususiyatlaridagi o'zgarishlar tahlil qilingan. Tadqiqot natijalari IR nurlanish qabul qiluvchilari va keng spektral diapazondagi (1,0-2,5 mkm) fototenzodatchiklar yaratish uchun qo'llanilishi mumkinligi ko'rsatilgan.
Ushbu kitob Mamadaliyeva Lola Kamildjanovnaning nomzodlik dissertatsiyasi boʻlib, fotoelektrik oʻzgartirgichlar sohasiga oid tadqiqotlarni oʻz ichiga oladi. Unda CdTe asosidagi fotosezgir plyonkalar va BiTeSb – BiTeSe termoelektrik materiallar asosida koʻp maqsadli fotoelektrik oʻzgartirgichlarni yaratish masalalari koʻrib chiqilgan. Dissertatsiya yarimoʻtkazgichlar fizikasi sohasida ilmiy izlanishlar olib borayotgan mutaxassislar uchun moʻljallangan.
Ushbu kitob yarimo'tkazgichli plyonkalar (Si va CdTe) fizikasiga bag'ishlangan bo'lib, unda anomaliya katta fotokuchlanish va tashqi qutblovchi maydonsiz fotoelektret holat hodisalari o'rganilgan. Kitobda plyonkalarning qalinligi bo'yicha taqsimoti, nosimmetrik yoritilish, anomaliya fotomagnit hodisa, fotoelektret holati va relaksatsiya chiziqlari kabi muhim jihatlar ko'rib chiqilgan. Shuningdek, yarimo'tkazgichli plyonkalarni olish, legirlash va faollashtirish texnologiyalari, ularning xususiyatlarini tadqiq qilish, ayniqsa tashqi qutblovchi maydonsiz fotoelektret holatini fotoelektrik usullar bilan o'rganish, nazariyasini yaratish va ular asosida optoelektron qurilma asboblarini yaratish masalalari ham yoritilgan.
Ushbu dissertatsiya Oʻzbekiston Respublikasi Fanlar akademiyasi Y.S. Umarov nomidagi Fizika-texnika instituti ilmiy-tadqiqot ishlariga bagʻishlangan. Dissertatsiya mavzusi «CdTe:Ag, Cu, Cdva Sb2Se3:Se asosidagi yupqa polikristall pardalarda yangi fotoelektret hodisalar» deb nomlanadi. Tadqiqotning asosiy maqsadi – ushbu materiallarda yangi fotoelektret hodisalarini aniqlash hamda ularning texnologiyasini ishlab chiqish.
Ushbu dissertatsiya tadqiqoti Namangan Muhandislik-Texnologiya Instituti huzuridagi Ilmiy Darajalar Beruvchi PhD.03/30.11.2022.FM/T.66.04 Raqamli Ilmiy Kengashi hamda Farg'ona Davlat Universiteti tomonidan bajariilgan. Tadqiqotning asosiy maqsadi pCdTe-nCdS va pCdTe-nCdSe geterostrukturalari asosida quyosh batareyalari yaratishda elektrofizik, optik va fotoelektrik xususiyatlarini oʻrganib, ularning tok va signal quvvatini oshirishdan iborat. Tadqiqot doirasida chuqur aralashma sathli pCdTe-nCdS va nCdTe-pCdSe asosidagi geterostrukturani olishning optimal texnologiyasi topildi va kumush va mis bilan legirlangan pCdTe-nCdS va nCdTe-pCdSe geterostrukturali quyosh elementlarining elektrofizik hamda optik va fotoelektrik xususiyatlari oʻrganildi. Shuningdek, kadmiy telluridda legirlangan aralashmalar bilan chuqur markazlarning hosil boʻlish xususiyatlari oʻrganildi va ularning tok va signal quvvatini oshirish hamda quyosh energiyasini yigʻish samaradorligini oshirishda chuqur markazlarning shakllanishiga turli texnologik omillarning ta’siri oʻrganildi. Tadqiqot natijalari asosida havoning ifloslanishini aniqlash uchun optik datchiklar va fotoelektrik modullar ishlab chiqildi va ulardan Arduino platformasi orqali foydalanish yoʻllari koʻrsatib berildi. Tadqiqotda ilmiy yangiliklar jumlasiga kirishish usulida ilk bor, chuqur aralashma sathga ega pCdTe-nCdS va pCdTe-nCdSe asosidagi geterostrukturali quyosh elementlarini oʻstirish yuqori tenperaturali vakuumda bugʻlatish yoʻli bilan optimal texnologiyasi topilganligi, Ag va Cu ning yuqori haroratli diffuzion kiritilishi natijasida CdTe ning aralashmali fotooʻtkazuvchanlik mavjudligi aniqlanganligi, keng boʻshliqli optik oyna sirt rekombinatsiyasi tezligini sezilarli darajada pasaytrish orqali plyonka geterostrukturasining yigʻish koeffitsiyentini oshishiga olib kelganligi va haroratning oshishi bilan spektrning qisqa va uzun toʻlqin sohalarida geterostrukturaning fotosezgirligi kuchayib borishi, faollashuv energiyasi Ec– 1,15 eV teng boʻlgan chuqur aralashmalar sathining mavjudligi bilan koʻrsatilganligi kabilar kiradi. Tadqiqot natijalari O'zbekiston Respublikasi Prezidentining 2020-yil 29-oktabrdagi “Ilm-fanni 2030-yilgacha rivojlantirish konsepsiyasini tasdiqlash toʻgʻrisida