GaAs/Ge/ZnSe va GaAs/Si/ZnSe ko‘ptarkibli tuzilmalarida nanoo‘lchamli ob’yektlarning shakllanish jarayonlari
Qisqacha mazmun mavjud emas.
n-(GaAs)-р-(GaAs)1-х-у(Ge2)х(ZnSe)у гетеротузилмасининг тузилмавий хусусиятлари, электрофизик ва фотоэлектрик хоссалари
Ushbu dissertatsiya ishida n-(GaAs)-p-(GaAs)1-x-y(Ge2)x(ZnSe)y geterotizilmalarining tuzilmaviy xususiyatlari, elektrofizik va fotoelektrik xossalari tadqiq qilingan. Tadqiqot ishi uchun zarur bo'lgan nazariy va eksperimental materiallar tahlil qilingan hamda yangi yarimo'tkazgichli material sifatida bunday geterotizilmalarning salohiyati ko'rsatilgan.
Арсенид галлий тагликка ўстирилган (GaAs)1-x( ZnSe)x қаттиқ қотишманинг электрофизик хоссаларига гамма нурланишнинг таъсири
Ushbu bitiruv malakaviy ishi "Arsenid galliy taglikka o'stirigan (GaAs)1-x(ZnSe)x qattiq qotishmasining elektrofilzix xossalari gamma nurilanish ta'siri" mavzusiga bag'ishlangan. Ishda yangi yarim o'tkazgich materialni o'stirish texnologiyasi va uning tuzilishi, elektrofilzix xossalari o'rganilgan. Ishda mazkur materialning gamma nurilishi ta'sirida qanday o'zgarishlar sodir bo'lishi tadqiq etilgan.
Kirishma nanobirikmalari bo‘lgan yarimo‘tkazgichli GaAs-Ge qattiq qorishmalarining olinishi, tuzilishi va fizik xossalari
Ushbu dissertatsiya avtoreferati yarimoʻtkazgichli materialshunoslik va mikroelektronika sohasidagi tadqiqotlarni oʻz ichiga oladi. Asosiy e'tibor GaAs-Ge qattiq qorishmalarining tuzilishi, olinish texnologiyalari va ularning fizik xossalarini oʻrganishga qaratilgan. Tadqiqotda yarimoʻtkazgichli nanoobʼyektlar, xususan, kvant nuqtalari va kvant oʻralari hosil qilish usullari, ularning rentgenografik, elektron mikroskopik va fotoelektrik xususiyatlari oʻrganilgan. Xususan, n-GaAs-p-(GaAs)1-x(Ge2)x geterotuzilmalarining voltamper va volt-emkost xarakteristikalari hamda fotovoltaik xossalari tadqiq qilingan. Tadqiqot natijalari zamonaviy yarimoʻtkazgichli qurilmalar va optoelektronika sohasida qoʻllanmalarga ega.
Cd(Me)Te и Ga(As, Se, N) кристалларни импульсли ишлов бериш усулларини оптималлаштириш
Ushbu kitobda yarimo'tkazgichli materiallar va strukturalarni impulsli lazer yordamida qayta ishlash usullari optimallashtirilgan. Cd(Me)Te va Ga(As, Se, N) kristallari asosida defektlar hosil bo'lishi, diffuziya jarayonlari, akustik emissiya va nurlanish hodisalari o'rganilgan. Materiallarning fotoelektrik va optik xususiyatlarini boshqarish yo'llari ko'rsatilgan.
psi-n(znse)1-x-(Si2)x(gap)y гетероструктурасининг вольт-ампер характеристикаси
Ushbu kitob yarimo'tkazgichlar fizikasi, texnologiyasi va ularning xossalarini o'rganishga bag'ishlangan. Unda, xususan, pSi-n(ZnSe)1-x-y(Si2)x(GaP)y geterostrukturalarining olinishi, ularning elektr va optik xarakteristikalari batafsil ko'rib chiqilgan. Materialshunoslik va optoelektronika sohasidagi tadqiqotchilar uchun foydali qo'llanma.
pSi - n(Si2)1-х(ZnSe)х гетероструктуранинг вольтампер характеристикасини ўрганиш
Ushbu bitiruv malakaviy ishi yarimo'tkazgich moddalarning fizik xossalarini o'rganishga bag'ishlangan. Ishda, xususan, pSi - n(Si2)1-x(ZnSe)x geterostrukturaning volt-amper xarakteristikasini o'rganishga e'tibor qaratilgan. Shuningdek, epitaksial o'stirish usullari, yarimo'tkazgichli birikmalar olinishi texnologiyasi va kremniy asosidagi materiallarning xususiyatlari ham ko'rib chiqilgan.
Излучение, связанное с протяженными дефектами, в эпитаксиальных слоях ZnTe/GaAs и многослойных структурах
Ushbu kitob 2017-yilda Berdaq nomidagi Qoraqalpoq davlat universiteti tomonidan tashkil etilgan "Qoraqalpog'iston Respublikasi mustaqillik yillarida" nomli ilmiy-amaliy anjuman materiallarining ikkinchi tomi hisoblanadi. Unda Oʻzbekiston Respublikasi Oliy va oʻrta maxsus taʼlim vazirligi koʻmagida chop etilgan ilmiy ishlar toʻplami joy olgan. Kitobda yarim oʻtkazgichli materiallar, optik fenomenlar, lazer texnologiyalari, va boshqa zamonaviy fizika hamda kimyo yoʻnalishlariga oid tadqiqotlar, jumladan, CdZnTe/ZnTe va ZnTe/GaAs kabi tizimlardagi murakkab tuzilmalar, ularning optik va elektron xususiyatlari tahlil qilingan. Shuningdek, turli oʻsimliklarning kimyoviy tarkibi, ularning tibbiy ahamiyati, shuningdek, qoraqalpoq tilshunosligi va adabiyoti boʻyicha ham tadqiqotlar oʻrin olgan.
Формирование элементарных бинарных ячеек в решетки кремния с участием Ga и Sb
Ushbu maqola kremniy kristalli panjarasida yangi elementar uyalar hosil qilish usuli haqida. Tadqiqot natijasida Ga va Sb atomlari ishtirokida kremniy asosida yangi yarimo'tkazgichli material yaratilgan. Bu material quyosh energiyasidan samarali foydalanish imkoniyatini oshiradi, chunki u quyosh spektrining keng diapazonini qamrab oladi. Tadqiqotda materialning tuzilishi, xossalari va uni o'rganish usullari batafsil bayon etilgan.
Si1-x-yGexSny, (Ge2)1-x-y(GaAs)x(ZnSe)y, (Si2)1-x(GaP)x qattiq qorishmalarini suyuqlanma eritmadan olishning fizik-kimyoviy xususiyatlari va ularning strukturaviy xossalari
Ushbu dissertatsiya tadqiqoti yarimoʻtkazgichlar fizikasi va yangi yuqori sifatli, yupqa plyonkali materiallarni olish texnologiyalari sohasidagi nazariy va eksperimental tadqiqotlarga bag'ishlangan. Unda Si1-x-yGexSny, (Ge2)1-x-y(GaAs)x(ZnSe)y, (Si2)1-x(GaP)x kabi murakkab yarimoʻtkazgichli qattiq qorishmalarni suyuqlanma eritmadan olishning fizik-kimyoviy xususiyatlari va ularning strukturaviy xossalari tadqiq etilgan. Tadqiqotda bir qator yangi usullar va texnologiyalar taklif etilgan bo'lib, ular asosida olingan materiallar fotoelektrik va optoelektronik qurilmalarda qoʻllanilishi mumkin.