Bosh sahifa>Qidiruv natijalari
🔍

АРСЕНИД ГАЛЛИЙ ЯРЫМӨТКИЗГИШЛИ ӘСБАПЛАРДЫҢ ЭЛЕКТРОФИЗИКАЛЫҚ ПАРАМЕТРЛЕРИНЕ ИМПУЛЬСЛИ ЛАЗЕРИНИҢ ТӘСИРИН ҮЙРЕНИЎ

Ushbu doktorlik dissertatsiyasi yarim o'tkazgichli materiallarning lazer nurlanishiga ta'sirini, xususan, GaAs materiallarining optik va elektr xususiyatlariga ta'sirini o'rganishga bag'ishlangan. Tadqiqotda lazer nurlanishining materiallar tuzilishi va elektr xususiyatlariga ta'siri, shuningdek, bu effektlarning sensorlar va boshqa yarim o'tkazgichli asboblar ishlab chiqarishda qo'llanilishi masalalari ko'rib chiqilgan. Dissertatsiyada tajribalardan olingan natijalar tahlil qilinib, lazer nurlanishining materiallarning xususiyatlarini yaxshilash yoki o'zgartirishdagi roli ko'rsatib berilgan. Tadqiqot, shuningdek, mikrosxemalar va yarim o'tkazgichli qurilmalar ishlab chiqarish uchun yangi texnologiyalarni rivojlantirishga qaratilgan.

🔑 Kalit soʻz🎯 100.0%

Арсенид галлий тагликка ўстирилган (GaAs)1-x( ZnSe)x қаттиқ қотишманинг электрофизик хоссаларига гамма нурланишнинг таъсири

Ushbu bitiruv malakaviy ishi "Arsenid galliy taglikka o'stirigan (GaAs)1-x(ZnSe)x qattiq qotishmasining elektrofilzix xossalari gamma nurilanish ta'siri" mavzusiga bag'ishlangan. Ishda yangi yarim o'tkazgich materialni o'stirish texnologiyasi va uning tuzilishi, elektrofilzix xossalari o'rganilgan. Ishda mazkur materialning gamma nurilishi ta'sirida qanday o'zgarishlar sodir bo'lishi tadqiq etilgan.

🔑 Kalit soʻz🎯 100.0%

Кремний, арсенид-галлий, рух-селен, кадмий-олтингугурти асосидаги қаттиқ қоришмаларида киритмаларнинг ўзаро таъсири ва улардан олинган гетероструктураларнинг электрофизик хоссалари

Ushbu doktorlik dissertatsiyasi yarim o'tkazgichlar fizikasi sohasidagi tadqiqotlarni o'z ichiga oladi. Asosiy e'tibor kremniy, galliy arsenidi, rux selenid va kadmiy sulfidi asosidagi qattiq eritmalaridagi kirishmalar o'zaro ta'sirini va ulardan olingan geterostrukturalarning elektrofilik xossalarini o'rganishga qaratilgan. Tadqiqotda turli yarim o'tkazgichli materiallarning tuzilishi, fotoelektr va optik xossalari, shuningdek, molekulyar kirishmalarning ta'siri chuqur tahlil qilingan. Tadqiqot natijalari yangi yarim o'tkazgich materiallar va qurilmalar yaratish uchun muhim nazariy va amaliy ahamiyatga ega.

🔑 Kalit soʻz🎯 100.0%

Фотоэлектрические явления в однобазовых арсенидгаллиевых структурах с прямо и обратно включенными барьерами

Ushbu hujjat - fizika-matematika fanlari nomzodi ilmiy darajasini olish uchun taqdim etilgan dissertatsiya avtoreferati bo'lib, yarimo'tkazgichlar fizikasiga oid tadqiqot natijalarini o'z ichiga oladi. Unda arsenidgalliy asosidagi tuzilmalarning fotoelektrik xossalari, xususan, to'g'ri va teskari ulangan to'siqlarga ega bo'lgan tuzilmalardagi hodisalar o'rganilgan. Avtoreferat tadqiqotning dolzarbligi, maqsad va vazifalari, ilmiy yangiliklari, amaliy ahamiyati, himoyaga olib chiqiladigan asosiy qoidalar, tadqiqot metodlari va olingan natijalarni qisqacha bayon qiladi. Shuningdek, dissertatsiya tuzilishi, hajmi va nashr qilingan ishlar ro'yxati keltirilgan.

🔑 Kalit soʻz🎯 74.5%

Малый энциклопедический справоч-ник по полупроводниковым материалам

Ushbu kitob yarimo'tkazgich materiallarining asosiy xususiyatlari, ularning tuzilishi, dopantlar, diffuziya, eruvchanlik, energiya darajalari, shuningdek, yarimo'tkazgichli qurilmalarni ishlab chiqarish texnologiyalari haqida ma'lumot beradi. Materialshunoslik, elektronika va mikroelektronika sohalarida o'qiydigan talabalar, aspirantlar va mutaxassislar uchun mo'ljallangan.

🔑 Kalit soʻz🎯 73.8%

GaAs (arsenid galliy)li asbobli strukturalarga radiatsiya va lazer ta’sirlaridan keyin volt-amper xarakteristikasini o’zgarishini o'rganish

Ushbu kitob Arsenid Galliy (GaAs) asosida tayyorlangan yarimo'tkazgichli asboblar, xususan diodlar va tranzistorlarning radiatsiya va lazer ta'siridan keyingi volt-amper va elektrofizik xarakteristikalarining o'zgarishini o'rganishga bag'ishlangan. Tadqiqotda asosiy maqsad sifatida yarimo'tkazgichli asboblar va strukturalarning sifatini yaxshilash va ularning ishonchliligini baholash ko'rsatilgan. Kitobda yarimo'tkazgichli materiallarning o'ziga xos xususiyatlari, ularni o'rganish metodikasi, hamda eksperimental natijalar va ularning tahlili batafsil yoritilgan. Ayniqsa, Shottki baryerli diodlar va ularning mikroplazmalik teshilishi, radiatsiya va lazer ta'siridan keyingi ularning parametrlarining o'zgarishi batafsil ko'rib chiqilgan.

🔑 Kalit soʻz🎯 73.6%

Галлий арсениди асосидаги уч тўсиқли фотодиоднинг электрофизик ва спектрал характеристикалари

Ushbu kitob yarimo'tkazgichli fotodiodlarning fizik xususiyatlarini o'rganishga bag'ishlangan. Unda galliy arsenidi asosidagi uch to'siqli fotodiodlarning elektrofizik va spektral tavsiflari batafsil tahlil qilingan. Material yarimo'tkazgich asboblarining ishlash mexanizmlari va ularni qo'llash sohalarini yoritadi.

🔑 Kalit soʻz🎯 73.5%

Электронная структура наноразмерных структур, созданных в приповерхностной области пленок Si И GaAs

Ushbu maqola Si va GaAs nanokristallik plyonkalari yaqin yuzasi mintaqasida yaratilgan nanostrukturalar elektron tuzilishini o'rganishga bag'ishlangan. Tadqiqotda elektron spektroskopiyasi usullaridan foydalanilgan bo'lib, natijada turlicha valentlik zonalarining energiya spektri va ularning bir-biriga nisbatan joylashuvi aniqlangan. Maqolada nanostrukturalar elektron tuzilishini o'rganishning nazariy va eksperimental jihatlari ko'rib chiqilgan. Xususan, Si va GaAs nanokristallik plyonkalarning valentlik zonasi tuzilishi, ularning energetik xususiyatlari va energiyaviy darajalarini aniqlash usullari tahlil qilingan. Yuqori energiya fotonlari yordamida o'tkazilgan tadqiqotlar natijasida olingan ma'lumotlar tahlil qilinib, nanostrukturalar elektron xususiyatlari haqida xulosalar chiqarilgan.

🔑 Kalit soʻz🎯 73.4%

Формирование элементарных бинарных ячеек в решетки кремния с участием Ga и Sb

Ushbu maqolada kremniy asosida yangi yarim o'tkazgich material yaratish konsepsiyasi ilgari suriladi. Ushbu material quyosh nurlanishining deyarli butun spektrini yutishga qodir. Tadqiqotda kremniy panjarasida galliy (Ga) va surma (Sb) atomlari ishtirokida yangi elementar yachaklarni hosil qilishning fizik mohiyati tushuntirilgan. Tadqiqot natijasida yarim o'tkazgichli materiallarning quyosh energiyasini olishdagi samaradorligini oshirish imkoniyati ko'rsatilgan.

🔑 Kalit soʻz🎯 73.4%